Научные публикации студентов
Выберите выпускающую кафедру:
Теоретических основ радиотехники (ТОР)
электронных приборов (ЭП)
Общей физики (Общей физики)
Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (Полупроводниковых приборов и микроэлектроники)
Электроники и Электротехники (ЭЭ)
радиоприемных и радиопередающих устройств (РПиРПУ)
конструирования и технологии радиоэлектронных средств (КТРС)
электронных приборов (ЭП)
Общей физики (Общей физики)
Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (Полупроводниковых приборов и микроэлектроники)
Электроники и Электротехники (ЭЭ)
радиоприемных и радиопередающих устройств (РПиРПУ)
конструирования и технологии радиоэлектронных средств (КТРС)
Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники
1.
Shklyaev A. A.
Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures
/
A. A. Shklyaev,
A. E. Budazhapova
; sci. ed. I. E. Antonova // 2017. - Vol. 57. - P. 18-23.
2. Lelyuk D. I. Circuit simulation of the transition process at the output of the operational amplifier / D. I. Lelyuk ; sci. ed. A. D. Byalik // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 201-202.
3. Levin V. D. Development of Analog CMOS switch / V. D. Levin ; sci. ed. S. V. Kalinin // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 202-203.
4. Bykov V. M. Design of high-speed ALU on the basis of ULA 5503KhM2 (CAD BIS «Kovcheg 3.04») / V. M. Bykov, B. K. Bogomolov ; sci. ed. B. K. Bogomolov // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 203-204.
5. Akimov S. D. Development and research of the basic parameters of varicap diodes with a reverse gradient of the impurity concentration in the base / S. D. Akimov ; sci. ed. V. A. Gaisler // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 205-206.
6. Simulation of AIIIBV semiconductors annealing and concentric nanorings formation by droplet epitaxy / N. Shwartz, М. Vasilenko, A. Nastovjak, A. Spirina // 19 European Workshop on molecular beam epitaxy : abstr. book, Saint Peterburg, 19–22 March 2017. – Saint Peterburg, 2017. – P. 128 (We-28p).
7. Composite films of polybenzimidazole matrix with graphene filler as strain-sensing elements / V. A. Kuznetsov, A. Y. Stefanyuk, A. S. Berdinsky, V. G. Makotchenko, A. I. Romanenko, V. E. Fedorov, B. C. Kholkhoev, V. F. Burdukovskii // 12 International forum on strategic technology (IFOST 2017) : proc., Korea, Ulsan, 31 May – 2 June 2017. – Ulsan, 2017. – Vol. 1. – P. 63-66.
8. Драгунов В. П. Влияние непараллельности электродов на характеристики МЭМС в режиме с контролируемым зарядом = Influence of electrode nonparallelism on MEMS characteristics in a controlled charge mode / В. П.Драгунов, Р.Е.Синицкий, Д.Е.Киселев // 2017. - № 1 (34). - С. 58-71.
9. Быков В.М. Проектирование быстродействующего АЛУ на базе БМК 5503ХМ2 (САПР БИС Ковчег 3.04) = Designing high-speed ALU based MPGA 5503HM2 (CAD VLSI Kovcheg 3.04) / В.М.Быков, Б. К.Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 26–27 апр. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2017. – С. 549–560.
10. Драгунов В. П. Особенности электромеханических взаимодействий в МЭМС с непараллельными электродами = Specific features of the electromechanical interaction in MEMS with nonparallel electrodes / В. П.Драгунов, Д.Е.Киселев, Р.Е.Синицкий ; науч. рук. В. П. Драгунов // 2017. - Т. 19, № 6. - С. 360-365 на рус. яз.; С. 365-369 на иностр. яз.
11. Nogovitsyna A. M. Determination's principles of critical concentration of mobile charges in the oxide and geometrical configuration of heterogeneous surface transfer transistor gate matrix of photodetector / A. M. Nogovitsyna, G. V. Perov ; sci. ed. D. I. Ostertak // The 18 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 12-17.
12. Features of photoconductivity of PbSnTe:In films under the variable illumination / A. N. Akimov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, N. S. Paschin, A. N. Papantonopulo, V. N. Sherstyakova // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 18-21.
13. Spirina A. A. Influence of AIIIBv substrate morphology on congruent temperature under Langmuir evaporation conditions / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 22-26.
14. Planar barrier structures based on thin films of Pb1-xSnxTe:In for the far IR photodetector: preparation and properties / A. N. Akimov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, N. S. Paschin, A. S. Tarasov, V. N. Sherstyakova // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 30-33.
15. Lysenko N. I. Transfer functions of the focal plane arrays linearization / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 338-340.
16. Спирина А.А. Решеточная Монте-Карло модель Ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV / А.А.Спирина, А. Г. Настовьяк, Н. Л.Шварц // 18 Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию : тез. докл., Иркутск, 21–25 авг. 2017 г. – Новосибирск : ИВТ СО РАН, 2017. – С. 55–56.
17.
Nastovjak A.
Analysis of nanowire diameter variation during MBE self-catalyzed growth: a Monte Carlo simulation
/
A. Nastovjak,
A. Suprunets,
N. L. Shwartz
// Physics, chemistry and applications of nanostructures : reviews and short notes, proc. of intern. conf. «Nanomeeting–2017», Belarus, Minsk, 30 May – 2 June 2017. – Singapore : World Sci. Publ., 2017. – P. 418-421.
18. Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии / М.А.Василенко, A. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // 8 Российская конференция по физике полупроводников : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 118.
19. Examination of concentric GaAs nanorings growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of 25 intern. symp. (NANO-2017), Saint-Petersburg, 26–30 June 2017. – Saint-Petersburg : Acad. Univ., 2017. – P. 280-281.
20. Драгунов В. П. Микроэлектромеханический генератор на основе модифицированной схемы дупликатора Беннета = A microelectromechanical generator based on the Bennet doubler modified circuit / В. П.Драгунов, Р.Е.Синицкий, Д. И.Остертак // 2017. – № 3 (36). – С. 39–51.
21. Синицкий Р.Е. Электретный микрогенератор с режимом автостабилизации напряжения / Р.Е.Синицкий ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 10 ч., Новосибирск, 4–8 дек. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – Ч. 6. – С. 81-84.
22. Киселев Д.Е. Влияние соударений электродов на характеристики МЭМ преобразователя / Д.Е.Киселев ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 10 ч., Новосибирск, 4–8 дек. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – Ч. 6. – С. 69-73.
23. Ипатов Д.Е. Стенд для измерения характеристик матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона / Д.Е.Ипатов, ; науч. рук. И. Г. Неизвестный // Новые информационные технологии в научных исследованиях. НИТ–2017 : материалы 22 Всерос. науч.-техн. конф., студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 15–17 нояб. 2017 г. – Рязань : Изд-во РГРУ, 2017. – С. 285–286.