Главная Наука и инновации Научная работа студентов

Научные публикации студентов

Выберите выпускающую кафедру:

Теоретических основ радиотехники (ТОР)
электронных приборов (ЭП)
Общей физики (Общей физики)
Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (Полупроводниковых приборов и микроэлектроники)
Электроники и Электротехники (ЭЭ)
радиоприемных и радиопередающих устройств (РПиРПУ)
конструирования и технологии радиоэлектронных средств (КТРС)

Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники

Выберите год

2025 год

1.

Antonova I. V. Multifunctional graphene-based coating on fishing lines / I. V. Antonova, A. A. Buzmakova // 2025. - Vol. 383. - 116190

2.

Bashkatov D. Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation / D. Bashkatov, D. Milakhin ; sci. ed. D. Milakhin // 2024. - Vol. 51. - Art. 104817.

2024 год

3.

Detailed morphology and electron transport in reducedgraphene oxide filled polymer composites with asegregated structure / V. A. Kuznetsov, M. V. Gudkov, V. A. Ermakov, K. A. Shiyanova // 2024. – Vol. 221, iss. 6. – Art. 2300855 (7 p.).

4.

Features of the voltage divider for kinetic energy storage devices and hydrogen batteries / V. P. Dragunov, D. I. Ostertak, D. M. Kazymov, E. Y. Kovalenko // 2024. – Vol. 65. – P. 582–592.

5.

Богомолов Б. К. Проектирование АЛУ на языке VHDL в программе Aldec Active-HDL = ALU design using the VHDL language in the Aldec Active-HDL program / Б. К.Богомолов, Н.А.Юрченко // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 22–25 апр. 2024 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2024. – С. 265–269.

6.

Акулова Н.А. Исследование влияния относительной влажности воздуха на электросопротивление полимерных композитов с углеродными нанотрубками / Н.А.Акулова, Д.В.Побеленская, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 25 юбилейн. междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 100-летию со дня рождения В.П. Лопатинского, Томск, 20–24 мая 2024 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2024. – Т. 2. – С. 225–226.

7.

Гапич Д.И. Исследование температурных зависимостей электросопротивления и термоЭДС в YBaCo2O5+х / Д.И.Гапич, Д.И.Фролов, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 25 юбилейн. междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 100-летию со дня рождения В.П. Лопатинского, Томск, 20–24 мая 2024 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2024. – Т. 2. – С. 241–242.

8.

Температурные зависимости термоэлектрических свойств полимерных композитов с одностенными углеродными нанотрубками / В.А.Ермаков, В. А.Кузнецов, Д.И.Фролов, Б. Ч. Холхоев, В. Ф. Бурдуковский ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 25 юбилейн. междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 100-летию со дня рождения В.П. Лопатинского, Томск, 20–24 мая 2024 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2024. – Т. 2. – С. 259–260.

9.

Взаимосвязь электронного транспорта и тензорезистивных свойств в полимерных композиционных материалах на основе хитозана / Д.В.Побеленская, Н.А.Акулова, Д.И.Гапич, Р.С.Кумарбаев, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 25 юбилейн. междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 100-летию со дня рождения В.П. Лопатинского, Томск, 20–24 мая 2024 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2024. – Т. 2. – С. 314–315.

10.

Особенности функционирования делителя напряжения для накопителей кинетической энергии и водородных батарей = Features of the voltage divider for kinetic energy storage devices and hydrogen batteries / В. П.Драгунов, Д. И.Остертак, Д.М.Казымов, Е.Ю.Коваленко // 2024. – № 3. – С. 71–80.

11.

Бялик А. Д. Моделирование распределения температур в области расположения чувствительных элементов волоконно-оптических датчиков температуры на основе AWG–демультиплексоров / А. Д.Бялик, А.С.Горин, Д.Б.Ямщиков // Наука и кадры для авиастроения = Science and staff for aircraft engineering : тр. междунар. науч.-практ. конф., посвящ. 65-летию ФЛА и 75-летию Новосиб. гос. техн. ун-та, Новосибирск, 17–21 дек. 2024 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2024. – С. 401–405.

12.

Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7X7)->(1X1) = Chemical kinetics of the Si(111) surface nitridation process at temperatures below the structural phase transition (7?7)>(1?1) / В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д.Д.Башкатов, Д. С.Милахин, К. С. Журавлев ; науч. рук. Д. С. Милахин // 2024. – Т. 58, № 7. – С. 349–357.

13.

Транзисторный делитель напряжения для маломощных МЭМС = Transistor voltage divider for low-power MEMS / В. П.Драгунов, Д. И.Остертак, Д.М.Казымов, Е.Ю.Коваленко, М. А.Кузнецов // 2024. – № 3 (195). – С. 16–24.

2023 год

14.

Nastovjak A. G. Simulation of GaAs nanowire annealing / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz // 2023. – Vol. 228. – Art. 112310.

15.

Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz // 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.

16. Kuznetsov V. A. Effect of the Type of a High-Temperature Polymer Matrix on the Morphology and Electrical Conductivity of Composites with SWCNTs / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov // 2023. - Vol. 64, iss. 7. - P. 1212-1219.

17.

Федоров А.А. Особенности электронного транспорта и морфологии полимерных композитов с углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов, Б. Ч. Холхоев // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 24 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых, им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 85-летию со дня рождения проф. А. В. Кравцова, Томск, 15–19 мая 2023 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2023. – Т. 2. – С. 581–582.

18.

Композиты на основе матрицы хитозана с графеном: электронный транспорт и тензорезистивный эффект / Д.И.Гапич, В. А.Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев, В. Ф. Бурдуковский // Графен: молекула и 2D-кристалл : сб. тез. докл. 4 Рос. конф., Новосибирск, 14–18 авг. 2023 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2023. – С. 144.

19.

Исследование морфологии композитов сегрегированной сетчатой структуры на основе данных о механизмах транспорта носителей заряда / В.А.Ермаков, В. А.Кузнецов, К. А. Шиянова, М. В. Гудков // Графен: молекула и 2D-кристалл : сб. тез. докл. 4 Рос. конф., Новосибирск, 14–18 авг. 2023 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2023. – С. 149.

20.

Влияние типа полимерной матрицы на морфологию и электрофизические свойства теплостойких композитов с углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов, Б. Ч. Холхоев, В. Ф. Бурдуковский // Графен: молекула и 2D-кристалл : сб. тез. докл. 4 Рос. конф., Новосибирск, 14–18 авг. 2023 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2023. – С. 168.

21.

Ostertak D. I. Microelectromechanical converter performance under random multiple-frequency vibrations / D. I. Ostertak, V. P. Dragunov, E. Y. Kovalenko // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 280–283.

22.

Biosensors and wearable sensors based on graphene composites for lab-on-skin / D. A. Poteryaev, A. A. Buzmakova, I. V. Antonova, A. I. Ivanov // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 1280–1284.

23.

Chemical kinetics of the nitridation process of silicon Si(111) substrates at different ammonia fluxes / D. D. Bashkatov, T. V. Malin, V. G. Mansurov, D. S. Milakhin ; sci. ed. D. S. Milakhin // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 200–204.

24.

Kostyuchenko V. V. Electric field distribution in SOI-nanoribbon biosensors with dielectrophoretic control / V. V. Kostyuchenko, E. G. Zaytseva, O. V. Naumova ; sci. ed. N. L. Shwartz // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 1410–1413.

25.

Nanostructure formation from polycrystalline vanadium dioxide films using an atomic force microscope / N. D. Mantsurov, A. I. Komonov, S. V. Mutilin, L. V. Yakovkina ; sci. ed. S. V. Golod // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 170–175.

26.

Mantsurova S. V. Temperature influence on the Si(111) surface relief evolution during au deposition / S. V. Mantsurova, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 10–13.

27.

Kalmykov D. A. Synaptic VO2 resistor on glass substrate for neuromorphic circuits / D. A. Kalmykov, S. G. Bortnikov, V. S. Aliev ; sci. ed. V. S. Aliev // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 50–53.

28.

Litvinenko M. A. Simulation of GaN nanocluster droplet epitaxy on Si(111) substrate / M. A. Litvinenko, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 80–83.

29. Белоусов Р.А. Зависимость реальной структуры монокристаллов BaGa4Se7 от условий получения / Р.А.Белоусов, П. Г. Криницын, Л. И. Исаенко ; науч. рук. Д. И. Остертак // Нелинейная фотоника : материалы 7 междунар. шк. молодых ученых, Новосибирск, 21–25 авг. 2023 г. – Новосибирск : Изд-во НГУ. – С. 9–10.

30.

Bagochus E. K. Numerical simulation of vanadium dioxide based two-terminal nanoswitches / E. K. Bagochus, E. R. Chegirtkenova ; sci. ed. D. I. Ostertak // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 220–224.

31.

Optical properties of two-dimensional islands of tungsten disulfide (WS2) / A. Y. Krivonogova, N. N. Kurus, I. A. Milekhin, A. G. Milekhin, A. A. Kolosvetov ; sci. ed. N. L. Shwartz // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 190–193.

32.

High-temperature electrically conductive polymer composites with single-walled carbon nanotubes / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. C. Kholkhoev, E. N. Tkachev // 2023. – Vol. 68, iss. 2. – P. 221–226.

33.

Федоров А.А. Механизмы электропроводности в теплостойких полимерных композитах с углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов // 14 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур. ОКНО–2023 : сб. тез. докл., Красноярск, 6–10 сент. 2023 г. – Красноярск : Изд-во ИФ СО РАН, 2023. – С. 88.

34.

Гапич Д.И. Взаимосвязь между тензорезистивными характеристиками и механизмами электропроводности в биосовместимых полимерных композитах / Д.И.Гапич, В. А.Кузнецов // 14 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур. ОКНО–2023 : сб. тез. докл., Красноярск, 6–10 сент. 2023 г. – Красноярск : Изд-во ИФ СО РАН, 2023. – С. 93.

2022 год

35.

Zhikharev P. V. Effect of mask-film properties on the initial GaAs nanowire growth stages / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 2022. - Vol. 2227 : 23 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021), 22-26 Nov. 2021. - Art. 012015 (5 p.)

36.

Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz // 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p).

37.

Antonova I. V. Graphene: Hexagonal Boron Nitride Composite Films with Low-Resistance for Flexible Electronics / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev, А. А. Buzmakova ; sci. ed. I. V. Antonova // 2022. - Vol.12, iss.10. - Art. 1703 (12 p.).

38.

Ashikhmina M. A. Simulation of Electrical Conductivity in poly-Si Films under Joule Heating Using TCAD Sentaurus / M. A. Ashikhmina, G. N. Kamaev, A. S. Cherkaev // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 33-36.

39.

Kuznetsov V. A. Composites of Polybenzimidazole with SWCNTs – Temperature Dependences of Resistance / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, E. N. Tkachev // 45 Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO-2022) : proc., Opatija, Croatia, 23-27 May 2022. - IEEE, 2022. - P. 139-141.

40.

Automation of Piezoresistive Properties Measurements of New Composite Materials / R. S. Kumarbaev, A. A. Fedorov, V. A. Ermakov, V. A. Kolodina, A. V. Nikulin, V. A. Kuznetsov // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 624-627.

41.

Тензорезистивные свойства в композитах на основе хитозана / Д.И.Гапич, В. А.Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 370–371.

42.

Температурные зависимости электросопротивления в сегрегированных структурах на основе фторопласта и сверхвысокомолекулярного полиэтилена / В.А.Ермаков, В. А.Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 392.

43.

Исследование температурных зависимостей электросопротивления композитов сегрегированной структуры на основе поливинилхлорида / В.А.Колодина, В. А.Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 410.

44.

Федоров А.А. Температурные зависимости электросопротивления композитов с одностенными углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 478–479.

45.

Фролов Д.И. Особенности электронного транспорта в слоистом кобальтате YBaCo4O7+x / Д.И.Фролов, Е. Н.Ткачев, В. А.Кузнецов ; науч. рук. Е. Н. Ткачев // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 480–481.

46.

Mantsurov N. D. Nanolithography of Amorphous Vanadium Oxide Films Using an Atomic Force Microscope / N. D. Mantsurov ; sci. ed. N. L. Shwartz // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 20-24.

47.

Kudrich S. V. Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10.

48.

Bashkatov D. D. Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE / D. D. Bashkatov, D. S. Milakhin ; sci. ed. N. Shwartz // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - 5 p.

49. Poteryaev D. Н-BN: graphene based high conductive composite films for flexible heterostructures / D. Poteryaev, S. V. Nikroshkina, I. V. Antonova ; sci. ed. N. Shwartz // Progress through innovations : тр. 10 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2022 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – С. 76–78.

50.

Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г.Настовьяк, Д.В.Штеренталь, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74.

51.

Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г.Настовьяк, Д.В.Штеренталь, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945.

52.

Федоров А.А. Электронный транспорт в композитах на основе полибензимидазола с одностенными углеродными нанотрубками / А.А.Федоров ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Материалы 60 международной научной студенческой конференции (МНСК–2022). Физика = Proceedings of the 60 International students scientific conference (ISSC–2022). Physics, Новосибирск, 10–20 апр. 2022 г. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2022. – С. 97.

53.

Электронный транспорт в композиционных материалах с углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев, В. Ф. Бурдуковский // 4 Байкальский материаловедческий форум : материалы Всерос. науч. конф. с междунар. участием, Улан-Удэ – оз. Байкал, 1–7 июля 2022 г. – Улан-Удэ : Изд-во БНЦ СО РАН, 2022. – С. 454.

54.

Полимерные композиты для задач сенсорной электроники / В. А.Кузнецов, Б. Ч. Холхоев, А.А.Федоров, А. С. Буинов, В. Г. Макотченко, В. Ф. Бурдуковский // 4 Байкальский материаловедческий форум : материалы Всерос. науч. конф. с междунар. участием, Улан-Удэ – оз. Байкал, 1–7 июля 2022 г. – Улан-Удэ : Изд-во БНЦ СО РАН, 2022. – С. 336.

55.

Федоров А.А. Теплостойкие полимерные композиты с одностенными углеродными нанотрубками / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов, Б. Ч. Холхоев // Неорганические соединения и функциональные материалы : 6 Школа-конф. молодых ученых ICFM-2022 : программа и сб. тезисов докладов, Новосибирск, 27–30 сент. 2022 г. – Новосибирск : Изд-во ИНХ СО РАН, 2022. – С. 146.

56. Манцуров Н.Д. Локальное анодное окисление аморфных пленок оксидов ванадия методами атомно силовой микроскопии / Н.Д.Манцуров // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 16 Всерос. науч. конф. молодых ученых, Новосибирск, 5–8 дек. 2022 г. : в 11 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – Ч. 3. – С. 126–130.

57.

Манцурова С.В. Влияние температуры на морфологию поверхности Si(111) при осаждении золота / С.В.Манцурова ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 16 Всерос. науч. конф. молодых ученых, Новосибирск, 5–8 дек. 2022 г. : в 11 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – Ч. 2. – С. 69–72.

58. Особенности электронного транспорта в слоистых кобальтатах YBaCo4O7+x / Д.И.Фролов, Е. Н. Ткачев, А. Н. Лавров, Л. П. Козеева, М. Ю. Каменева, В. Ю. Комаров, В. А.Кузнецов // Неорганические соединения и функциональные материалы. ICFM–2022 : программа и тез. докл. 6 шк.-конф., молодых ученых, Новосибирск, 27–30 сент. 2022 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2022. – С. 105.

2021 год

59.

Уляшин А.Ф. Сравнительный анализ методов построения интегральных перемножителей сигналов = Comparative analysis of analog parameters signal multipliers by differential transistor pairs / А.Ф.Уляшин, А. А.Величко // 2021. – № 1 (100). – С. 21–41.

60.

Poteryaev D. A. Composite Nanoparticles Based on h-BN and Graphene for 2D Printing / D. A. Poteryaev, I. V. Antonova ; науч. рук. И. В. Антонова // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 46-49.

61.

Ashikhmina M. A. Investigation of the conductivity of polycrystalline silicon under joule heating / M. A. Ashikhmina, A. S. Cherkaev ; sci. ed. D. I. Оstertak // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P.54-57.

62.

Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; sci. ed. N. L. Shwartz // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66.

63.

Kuznetsov V. A. Photoelectromagnetic Phenomena in n-type HgCdTe Heterostructures / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko ; sci. ed. D. Y. Protasov // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 8-11.

64.

Maidebura Y. E. Influence of the elemental composition on the surface of the GaN layer on the surface energy in Ammonia MBE / Y. E. Maidebura ; sci. ed. N. L. Shwartz // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 83-86.

65. Гапич Д.И. Тензорезистивный эффект в композитах на основе полибензимидазола с углеродными нанотрубками / Д.И.Гапич, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 322-323.

66.

Федоров А.А. Температурные зависимости электросопротивления композитов на основе полибензимидазола / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 388.

67.

Чухарева А.С. Влияние влажности воздуха на электросопротивление полимерных композитов / А.С.Чухарева, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 395-396.

68.

Электропроводящие полимерные композиционные материалы для электроники – фундаментальные и прикладные аспекты / В. А.Кузнецов, А.А.Федоров, Д.И.Гапич, А.С.Чухарева // Новые полимерные композиционные материалы. Микитаевские чтения : материалы 17 междунар. науч.-практ. конф., Нальчик, 5–10 июля 2021 г. – Нальчик : Принт Центр, 2021. – С. 123.

69.

Федоров А.А. Электросопротивление композитов на основе полибензимидазола при повышенных температурах / А.А.Федоров, В. А.Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Материалы 59 международной научной студенческой конференции (МНСК–2021). Физика = Proceedings of the 59 International students scientific conference (ISSC–2021). Physics, Новосибирск, 12–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2021. – С. 97.

70.

Полимерные композиционные материалы для сенсорной электроники / В. А.Кузнецов, А.А.Федоров, Д.И.Гапич, А.С.Чухарева // 13 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО–2021) : сб. тез. докл., Новосибирск, 24–25 мая 2021 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2021. – С. 37.

71.

Кузнецов М.А. Модели низкополевой подвижности носителей заряда в кремнии для криогенного диапазона температур / М.А.Кузнецов ; науч. рук. С. В. Калинин // Дни науки НГТУ–2021, посвященные Году науки и технологии : материалы науч. студен. конф., итоги науч. работы студентов за 2020–2021 гг. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – С. 99-102.

72. Потеряев Д.А. Получение и исследование материалов из композитных наночастиц на основе гексагонального нитрида бора и графена / Д.А.Потеряев, И. В.Антонова ; науч. рук. И. В. Антонова // ДДни науки НГТУ–2021, посвященные Году науки и технологии : материалы науч. студен. конф., итоги науч. работы студентов за 2020–2021 гг. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – С. 154-158.

73.

Kuznetsov V. A. Strain-Sensing Properties of Chitosan-Based Film Composites / V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich, A. A. Fedorov // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 5-8.

74. Кузнецов М.А. Калибровка модели насыщения дрейфовой скорости электронов при низких температурах в среде TCAD Sentaurus / М.А.Кузнецов ; науч. рук. И. Л. Новиков // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 6. – С. 160–163.

75. Богомолов Д.Б. Подавление формирования антифазных границ в гетероструктурах GaP/Si / Д.Б.Богомолов ; науч. рук. А. Э. Климов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 143-145.

76. Гапич Д.И. Тензорезистивный эффект в композитах на основе биосовместимого хитозана с малослойным графеном / Д.И.Гапич ; науч. рук. В. А. Кузнецов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 148-151.

77. Манцуров Н.Д. Изучение морфологии и свойств фазового перехода в пленках и нанокристаллах VO2 синтезированных методом CVD / Н.Д.Манцуров ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 180–184.

78. Потеряев Д.А. Исследование проводимости пленок на основе композитных наночастиц графен – гексагональный нитрид бора / Д.А.Потеряев ; науч. рук. И. В. Антонова // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 226-229.

2020 год

79.

Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13.

80.

Ашихмина М.А. Проводимость кремниевых мезарезисторов в условиях джоулева разогрева = The conductivity of silicon mesaresistorsin joule heating conditions / М.А.Ашихмина, А. С.Черкаев // Микроэлектроника – 2020 : междунар. форум, шк. молодых ученых. Кремний – 2020 : 13 междунар. конф. 12 Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе = Microelectronics – 2020 : intern. Forum, young scientists scholarship. Silicon – 2020 : 13 intern. conf. 12 Joung scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis : сб. тез., Республика Крым, Ялта, 21–25 сент. 2020 г. – Москва : МАКС Пресс, 2020. – С. 208-211.

81.

Кузнецов М.А. Количественные низкотемпературные модели подвижности в кремнии для слабых полей / М.А.Кузнецов, С. В.Калинин, А. С.Черкаев // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 30 нояб.–4 дек. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2020. – Ч. 6. – С. 90–92.

82.

Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS = Investigating physical model interface in the tcad sentaurus environment / М.А.Кузнецов, С. В.Калинин, А. С.Черкаев, Д. И.Остертак // 2020. – № 3 (98). – С. 39–48.

83.

Уляшин А.Ф. Исследование методов измерения расстояния в сканирующих дальномерах = Study of methods for measuring distances in scanning range / А.Ф.Уляшин, А. А.Величко // 2020. – № 4 (99). – С. 21–37.

84.

Уляшин А.Ф. Сравнительный анализ методов построения аналого-цифровых преобразователей = Comparative analysis of methods for constructing analog-to-digital converters / А.Ф.Уляшин, А. А.Величко // 2020. – № 4 (99). – С. 38–49.

85.

Rudenko I. E. Development of a method for obtaining CaF2/(Si+CaF2)/CaF2/Si heterostructures with observation of photoluminiscence in the visible range / I. E. Rudenko, A. Y. Krupin, E. V. Guzheva ; sci. ed. A. A. Velichko // Английский язык в сфере профессиональной коммуникации : тез. докл. 6 Всерос. молодеж. науч. конф., Казань, 26 нояб. 2020 г. – Казань : Изд-во ИП Сагиева А. Р., 2020. – C. 140–142.

2019 год

86.

Драгунов В. П. Электростатический микроэлектромеханический генератор с непрерывной генерацией тока в режиме автостабилизации = Electrostatic Microelectromechanical Generator with Continuous Generation of Current for the Autostabilization Regime / В. П.Драгунов, Д. И.Остертак, Р.Е.Синицкий // 2019. - Т. 21, № 1. - С. 51-64.

87. Папантонопуло А.Н. Создание фотослоя на основе селена с помощью импульсного отжига / А.Н.Папантонопуло ; науч. рук. Д. И. Остертак // Фотоника-2019 : тезисы докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 27–31 мая 2019 г. – Новосибирск : Офсет-ТМ, 2019. – С. 23.

88. Нужина А.А. Пассивация поверхности InAlAs анодными слоями, сформированными в таунсендовской газоразрядной плазме / А.А.Нужина // Фотоника-2019 : тезисы докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 27–31 мая 2019 г. – Новосибирск : Офсет-ТМ, 2019. – С. 124

89.

Богомолов Б. К. Исследование троичного триггера в САПР БИС Ковчег 3.02 = The research of the ternary trigger in CAD Kovcheg 3.02 / Б. К.Богомолов, И.И.Манахов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2019 г.]. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2019. – С. 561–570.

90.

Zhukov A. T. Examination of initial nanowire growth stages / A. T. Zhukov, . G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 32-35.

91.

Spirina A. A. Simulation of planar nanowire growth based on AIIIBV semiconductors / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 36-39.

92. Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128.

93.

Спирина А.А. Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) / А.А.Спирина, Н. Л.Шварц // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 133.

94.

Мальцев Н.В. Влияние способа изменения емкости и обратного тока диодов на работу электростатического микрогенератора на основе удвоителя Беннета / Н.В.Мальцев, Д. И.Остертак // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 2–6 дек. 2019 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2019. – Ч. 6. – С. 34–38.

95.

Колосков Д.Б. Исследование и разработка преобразователя уровней для 14-разрядного ЦАП с ТТЛ-совместимыми входами / Д.Б.Колосков ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 2–6 дек. 2019 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2019. – Ч. 6. – С. 23–27.

96. Тумашев В.С. Метод формирования металлических самосовмещенных электродов на поверхности пьедесталов из негативного резиста / В.С.Тумашев ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 2–6 дек. 2019 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2019. – Ч. 6. – С. 137–141.

2018 год

97. Spirina A. A. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 2018. – Vol. 993 : 19 Russian youth conference on physics of semiconductors and nanostructures, opto- and nanoelectronics, Saint Petersburg, 2017. – Art. 012011 (6 p.).

98. Синицкий Р.Е. Особенности электромеханических взаимодействий в МЭМС со встроенным зарядом = Features of electromechanical interactions in MEMS with built-in charge / Р.Е.Синицкий, В. П.Драгунов, И. В. Князев // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2018. – С. 630–635.

99. Киселев Д.Е. Характеристики ударного микрогенератора на основе двухконденсаторной схемы = Characteristics of an impact type microgenerator based on a two-capacitor circuit / Д.Е.Киселев, В. П.Драгунов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2018. – С. 636–640.

100. TCAD simulation of the influence of grain boundaries on the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, I. G. Neizvestnyi, A. S. Cherkaev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 8-11.

101. Budazhapova A. E. Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in dewetting conditions / A. E. Budazhapova, А. А. Shklyaev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 16-18.

102. Iskhakzay R. H. Investigation of Hf(Zr)O2 film ferroelectric properties grown by atomic layer deposition method / R. H. Iskhakzay, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 12-15.

103. Lysenko N. I. Simulation of the heterodyne method for measurement of the second derivative of the current-voltage characteristic / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 22-25.

104. Shterental D. V. Examination of schwoebel barrier influence on gan quantum dot formation / D. V. Shterental, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 30-34.

105. Spirina A. A. GaAs substrates langmuir evaporation kinetics / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 35-39.

106. Cherepanov A. A. An evaluation of CMOS inverter operation under cryogenic conditions / A. A. Cherepanov, I. L. Novikov, V. Y. Vasilyev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 40-43.

107. Драгунов В. П. Модифицированный электретный микроэлектромеханический генератор с режимом автостабилизации = Modified Electret Microelectromechanical Generator with Autostabilization Mode / В. П.Драгунов, Р.Е.Синицкий, Д. И.Остертак // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 13–17.

108.

Сабурова В.И. Моделирование температурной зависимости проводимости поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = Modeling of the Temperature Dependence of Polycrystalline-Si Conductivity in TCAD Sentaurus Environment / В.И.Сабурова, А. С.Черкаев, В. А.Гридчин // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 39 – 42.

109. Saburova V. I. Modeling of the temperature dependence of polycrystalline-Si conductivity in TCAD Sentaurus environment / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 109-112.

110. Киселев Д.Е. Влияние наличия соударений между электродами на характеристики электростатического микрогенератора = The Collisions Influence Between Electrodes on the Characteristics of an Electrostatic Microgenerator / Д.Е.Киселев, В. П.Драгунов // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 69-72.

111. Юриков А.Ю. Изменение решения уравнения Пуассона переноса мобильного заряда в окисле с неоднородной блокирующей границей энергонезависимого ЗУ = Modification of the solution of the Poisson equation of mobile charge transfer in oxides with heterogeneous blocking boundary / А.Ю.Юриков, А.М.Ноговицына ; науч. рук. Д. И. Остертак // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 131–134.

112. Сидорова Е.К. Разработка алгоритма расчета коэффициента сегрегации донорной примеси при термическом окислении кремния = Development of an algorithm for calculating donor impurity segregation during thermal oxidation of silicon / Е.К.Сидорова, Ж.А.Нургазинова ; науч. рук. А. С. Бердинский // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 127–130.

113. Нужина А.А. Формирование фторсодержащих анодных слоев на поверхности InAlAs в таунсендовской газоразрядной плазме = The Fluorinated Anodic Layers Formation on the Inalassurface in the Townsend Gas-Discharge Plasma / А.А.Нужина ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 99–102.

114. Spirina A. A. Comparative characteristics of GaAs and InAs Langmuir evaporation - Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 27-32.

115. Spirina A. A. Surface orientation influence on the Langmuir evaporation characteristics of GaAs substrates / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 21-26.

116. Spirina A. A. Characteristics of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 26 intern. symp., Republic of Belarus, Minsk, 18–22 June 2018. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2018. – P. 140–141.

117. Spirina A. A. Examination of GaAs and InAs Langmuir evaporation by simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 96-97.

118. Spirina A. A. Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 125–126.

119.

Лысенко Н.И. Реализация гетеродинного метода измерения первой и второй производных вольт-амперной характеристики с помощью LABVIEW RIO EVALUATION KIT / Н.И.Лысенко ; науч. рук. В. Г. Половинкин // Научная сессия ТУСУР–2018 : сб. избр. ст. научной сессии ТУСУР : по материалам междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16–18 мая 2018 г. В 3 ч. – Томск : В-Спектр, 2018. – Ч. 2. – С. 57–59.

120.

Влияние масштабирования на проводимость поликремниевых мезарезисторов / В. А.Гридчин, И. Г.Неизвестный, А. С.Черкаев, В.И.Сабурова // Кремний-2018 : тез. докл. 12 конф. и 11 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Черноголовка, 22–26 окт. 2018 г. – Черноголовка, 2018. – С. 65.

121.

Спирина А.А. Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV = Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors / А.А.Спирина, Н. Л.Шварц // 2018. – Т. 23, № 6. – С. 80–92.

122.

Синицкий Р.Е. Расчет емкости МЭМС с латеральным смещением непараллельных электродов / Р.Е.Синицкий, И.Е.Руденко, В. П.Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. научн. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 3–7 дек. 2018 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Ч. 6. – С. 143–148.

123.

Эффект нестабильного состояния в МЭМС с латеральным смещением непараллельных электродов / Р.Е.Синицкий, И.Е.Руденко, Д.Б.Колосков, В. П.Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. научн. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 3–7 дек. 2018 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Ч. 6. – С. 148–152.

124. Spirina A. A. Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs langmuir evaporation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // 2018. - Vol. 52, iss. 16. - P. 2135–2139.

125.

Манахов И.И. Исследование троичного триггера на двухуровневых логических элементах в САПР «Ковчег 3.02» / И.И.Манахов, Б. К.Богомолов // САПР и моделирование в современной электронике : сб. науч. тр. 2 междунар. науч.-практ. конф., Брянск, 24–25 окт. 2018 г. – Брянск : Изд-во БГТУ, 2018. – Ч. 1. – С. 62–66.

126.

Сабурова В.И. Моделирование температурной зависимости проводимости пленок поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = TCAD simulation of the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / В.И.Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С.Черкаев // Физика твердого тела : сб. материалов 16 Рос. науч. студ. конф., Томск, 17–20 апр. 2018 г. – Томск: Изд-во НТЛ, 2018. – С. 225–227.

127.

Колкова Н.А. Совершенствование системы тарифного регулирования электросетевых компаний на основе бенчмаркинга / Н.А.Колкова, Я.В.Чувакина ; науч. рук. Н. А. Колкова // Совершенствование системы тарифного регулирования электросетевых компаний на основе бенчмаркинга : отчет о НИР / исполн.: Н. А. Колкова, Я. В. Чувакина ; рук. Н. А. Колкова. – Новосибирск, 2018. – 87 с. – № ГР АААА-Б18-218122790013-2.

128.

Юриков А.Ю. Сравнительный анализ методов стабилизации крутизны входного каскада rail-to-rail КМОП операционного усилителя во всем диапазоне входного синфазного сигнала / А.Ю.Юриков ; науч. рук. Д. И. Остертак // САПР и моделирование в современной электронике : сб. науч. тр. 2 междунар. науч.-практ. конф., Брянск, 24–25 окт. 2018 г. – Брянск : Изд-во БГТУ, 2018. – С. 109–113.

129. Халькогениды переходных металлов в качестве чувствительных элементов газовых сенсоров = Transition metal chalcogenides as sensitive elements for gas sensors / В.А.Кузнецов, А.А.Федоров, М.А.Наберухин, А. С.Бердинский // 2018. – № 3–4 (93). – 136–146.

130.

Особенности электромеханических взаимодействий в МЭМС с латеральным смещением непараллельных электродов в режиме с контролируемым напряжением = Features of the electromechanical interactions in MEMS with a lateral displacement of non-parallel electrodes in the voltage controlled mode / Р.Е.Синицкий, В. П.Драгунов, И.Е.Руденко, Д.Б.Колосков, Е. В.Драгунова // 2018. – № 4 (41). – С. 93–109.

2017 год

131.

Shklyaev A. A. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures / A. A. Shklyaev, A. E. Budazhapova ; sci. ed. I. E. Antonova // 2017. - Vol. 57. - P. 18-23.

132. Lelyuk D. I. Circuit simulation of the transition process at the output of the operational amplifier / D. I. Lelyuk ; sci. ed. A. D. Byalik // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 201-202.

133. Levin V. D. Development of Analog CMOS switch / V. D. Levin ; sci. ed. S. V. Kalinin // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 202-203.

134. Bykov V. M. Design of high-speed ALU on the basis of ULA 5503KhM2 (CAD BIS «Kovcheg 3.04») / V. M. Bykov, B. K. Bogomolov ; sci. ed. B. K. Bogomolov // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 203-204.

135. Akimov S. D. Development and research of the basic parameters of varicap diodes with a reverse gradient of the impurity concentration in the base / S. D. Akimov ; sci. ed. V. A. Gaisler // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 205-206.

136. Simulation of AIIIBV semiconductors annealing and concentric nanorings formation by droplet epitaxy / N. Shwartz, М. Vasilenko, A. Nastovjak, A. Spirina // 19 European Workshop on molecular beam epitaxy : abstr. book, Saint Peterburg, 19–22 March 2017. – Saint Peterburg, 2017. – P. 128 (We-28p).

137. Composite films of polybenzimidazole matrix with graphene filler as strain-sensing elements / V. A. Kuznetsov, A. Y. Stefanyuk, A. S. Berdinsky, V. G. Makotchenko, A. I. Romanenko, V. E. Fedorov, B. C. Kholkhoev, V. F. Burdukovskii // 12 International forum on strategic technology (IFOST 2017) : proc., Korea, Ulsan, 31 May – 2 June 2017. – Ulsan, 2017. – Vol. 1. – P. 63-66.

138. Драгунов В. П. Влияние непараллельности электродов на характеристики МЭМС в режиме с контролируемым зарядом = Influence of electrode nonparallelism on MEMS characteristics in a controlled charge mode / В. П.Драгунов, Р.Е.Синицкий, Д.Е.Киселев // 2017. - № 1 (34). - С. 58-71.

139. Быков В.М. Проектирование быстродействующего АЛУ на базе БМК 5503ХМ2 (САПР БИС Ковчег 3.04) = Designing high-speed ALU based MPGA 5503HM2 (CAD VLSI Kovcheg 3.04) / В.М.Быков, Б. К.Богомолов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 26–27 апр. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2017. – С. 549–560.

140. Драгунов В. П. Особенности электромеханических взаимодействий в МЭМС с непараллельными электродами = Specific features of the electromechanical interaction in MEMS with nonparallel electrodes / В. П.Драгунов, Д.Е.Киселев, Р.Е.Синицкий ; науч. рук. В. П. Драгунов // 2017. - Т. 19, № 6. - С. 360-365 на рус. яз.; С. 365-369 на иностр. яз.

141. Nogovitsyna A. M. Determination's principles of critical concentration of mobile charges in the oxide and geometrical configuration of heterogeneous surface transfer transistor gate matrix of photodetector / A. M. Nogovitsyna, G. V. Perov ; sci. ed. D. I. Ostertak // The 18 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 12-17.

142. Features of photoconductivity of PbSnTe:In films under the variable illumination / A. N. Akimov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, N. S. Paschin, A. N. Papantonopulo, V. N. Sherstyakova // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 18-21.

143. Spirina A. A. Influence of AIIIBv substrate morphology on congruent temperature under Langmuir evaporation conditions / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 22-26.

144. Planar barrier structures based on thin films of Pb1-xSnxTe:In for the far IR photodetector: preparation and properties / A. N. Akimov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, N. S. Paschin, A. S. Tarasov, V. N. Sherstyakova // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 30-33.

145. Lysenko N. I. Transfer functions of the focal plane arrays linearization / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 338-340.

146. Спирина А.А. Решеточная Монте-Карло модель Ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV / А.А.Спирина, А. Г. Настовьяк, Н. Л.Шварц // 18 Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию : тез. докл., Иркутск, 21–25 авг. 2017 г. – Новосибирск : ИВТ СО РАН, 2017. – С. 55–56.

147.

Nastovjak A. Analysis of nanowire diameter variation during MBE self-catalyzed growth: a Monte Carlo simulation / A. Nastovjak, A. Suprunets, N. L. Shwartz // Physics, chemistry and applications of nanostructures : reviews and short notes, proc. of intern. conf. «Nanomeeting–2017», Belarus, Minsk, 30 May – 2 June 2017. – Singapore : World Sci. Publ., 2017. – P. 418-421.

148. Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии / М.А.Василенко, A. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // 8 Российская конференция по физике полупроводников : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 118.

149. Examination of concentric GaAs nanorings growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of 25 intern. symp. (NANO-2017), Saint-Petersburg, 26–30 June 2017. – Saint-Petersburg : Acad. Univ., 2017. – P. 280-281.

150. Драгунов В. П. Микроэлектромеханический генератор на основе модифицированной схемы дупликатора Беннета = A microelectromechanical generator based on the Bennet doubler modified circuit / В. П.Драгунов, Р.Е.Синицкий, Д. И.Остертак // 2017. – № 3 (36). – С. 39–51.

151. Синицкий Р.Е. Электретный микрогенератор с режимом автостабилизации напряжения / Р.Е.Синицкий ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 10 ч., Новосибирск, 4–8 дек. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – Ч. 6. – С. 81-84.

152. Киселев Д.Е. Влияние соударений электродов на характеристики МЭМ преобразователя / Д.Е.Киселев ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 10 ч., Новосибирск, 4–8 дек. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – Ч. 6. – С. 69-73.

153. Ипатов Д.Е. Стенд для измерения характеристик матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона / Д.Е.Ипатов ; науч. рук. И. Г. Неизвестный // Новые информационные технологии в научных исследованиях. НИТ–2017 : материалы 22 Всерос. науч.-техн. конф., студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 15–17 нояб. 2017 г. – Рязань : Изд-во РГРУ, 2017. – С. 285–286.

2016 год

154. Kuznetsov V. A. Conductivity of bulk polycrystalline samples of W0.95Re0.05S2 / V. A. Kuznetsov, A. S. Berdinsky ; sci. ed. M. N. Gordeeva // Progress through Innovations : тез. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2016 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 86–87.

155. Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of a high-energy electron beam / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsin, A. Bakarov, K. S. Zhuravlev ; sci. ed. A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2016 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 90–91.

156. Suprunets A. G. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowire growth (Monte Carlo simulation) / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 2016. - Vol. 690. - Art. 012011 (7 p.).

157. Shklyaev A. A. Ge deposition on Si(1 0 0) in the conditions close to dynamic equilibrium between islands growth and their decay / A. A. Shklyaev, A. E. Budazhapova // 2016. - Vol. 360, pt. B, - P. 1023–1029.

158.

Богомолов Б. К. Исследование проблем проектирования АЛУ при помощи Verilog описания в САПР БИС «Ковчег 3.02» = Research problems ALU design using Verilog description VLSI CAD «Kovcheg 3.02» / Б. К.Богомолов, В.В.Гильгенберг // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 21–22 апр. 2016 г. – Новосибирск : Изд-во Сиб ГУТИ, 2016. – С. 765–774.

159. Супрунец А.Г. Монте-Карло моделирование эффекта выравнивания диаметров нитевидных нанокристаллов InAs в процессе самокаталитического роста / А.Г.Супрунец, Н. Л.Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 29–32.

160. Спирина А.А. Моделирование процессов отжига подложек InAs методом Монте-Карло / А.А.Спирина, А. Г. Настовьяк, Н. Л.Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 33–37.

161. Будажапова А.Е. Формирование островков вблизи равновесных условий между их ростом и распадом в процессе осаждения Ge на Si(100) при высоких температурах / А.Е.Будажапова, А. А. Шкляев ; науч. рук. В. А. Ткаченко // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 38–41.

162. Ипатов Д.Е. Моделирование электрофизических характеристик МДП транзисторов при криогенных температурах / Д.Е.Ипатов, А. В. Зверев ; науч. рук. В. Г. Половинкин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 42–46.

163. Сабурова В.И. Влияние межзеренных границ на проводимость в канале поликремниевых тонко-пленочных транзисторов / В.И.Сабурова, Г. Н. Камаев ; науч. рук. Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 61–63.

164. Костенко М.В. Применение модулей DWM1000 для системы позиционирования в шахте / М.В.Костенко, И. А. Зотов // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 148–152.

165. Багочюс Е.К. Разработка Процесса Быстрого Термического Отжига для Активации Примеси / Е.К.Багочюс, М.В.Зубрик, О. А. Васильев // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 153–155.

166. Венский С.И. Совершенствование проводной передачи данных в горнодобывающих объектах / С.И.Венский, Л. В. Урусов ; науч. рук. В. А. Гридчин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 156–160.

167. Доржиев В. Ю. Исследование работы электростатического микрогенератора в импульсном режиме / В. Ю.Доржиев, И. В. Князев, Д.И.Лойко // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 177–180.

168. Гумалевский В.В. Разработка датчика аэрозольных частиц / В.В.Гумалевский, Д. С. Волков ; науч. рук. В. А. Гридчин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 185–187.

169. Рогатко И.В. Разработка испытательного стенда и исследование характеристик МЭМС сенсора теплового потока / И.В.Рогатко, О. В.Лобач // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 192–195.

170. Vasilenko М. А. Monte Carlo simulation of GaAs nanorings formation by droplet epitaxy / М. А. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016: proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 3-6.

171. Nelyubin I. V. Research of the electrical characteristics polysilicon on insulator thin films / I. V. Nelyubin, O. V. Naumova, B. I. Fomin ; sci. ed. N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 26-29.

172. Nogovitsyna А. M. Simulation of mobile charge transport process by working volume of ultra-thin silicon oxide in the drift-diffusion approximation with the heterogeneity of the surface / А. M. Nogovitsyna, G. V. Perov ; sci. ed. V. A. Ilyushin // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 38-43.

173. Драгунов В. П. Исследование МЭМС-генераторов энергии со встроенным зарядом = Research of MEMS-generators of energy with the built-in charge / В. П.Драгунов, Д.И.Лойко // 2016. – № 1(83). – С. 76–89.

174. The effect of electrodes non-parallelism on micromechanical capacitors parameters / V. P. Dragunov, D. I. Loyko, I. V. Knyazev, V. Y. Dorzhiev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 1, ч. 1. – С. 13–15.

175. Ипатов Д.Е. Моделирование электрофизических характеристик МДП-транзисторов при криогенных температурах / Д.Е.Ипатов ; науч. рук. А. В. Зверев // Дни науки НГТУ–2016 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2015–2016 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 23-24.

176. Нелюбин И.В. Исследование электрических свойств тонких пленок поликремния на изоляторе / И.В.Нелюбин ; науч. рук. Н. А. Наумова // Дни науки НГТУ–2016 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2015–2016 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 53–55.

2015 год

177. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост / М.В.Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // 2015. – Т. 49, вып. 1. – С. 63–70.

178. Karpovich M. S. In/out pad electrostatic discharge protection for sub-micron integrated circuits based on lateral bipolar transistor / M. S. Karpovich, I. V. Pichugin , V. Y. Vasilyev // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 100-103.

179. Substrates and coating for graphene based devices / E. V. Bazyleva, I. A. Kotin, I. V. Antonova, V. Y. Prinz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 3-7.

180. Vasilenko M. A. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo simulation) / M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 16-19.

181. Budazhapova A. E. Mechanisms of surface morphology formation during Ge growth on Si(100) at high temperatures / A. E. Budazhapova, A. A. Shklyaev // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 12-15.

182. Kashirskaya O. N. Sentaurus TCAD for modeling of the elements of the matrix photodetectors on organic compounds / O. N. Kashirskaya // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 37-41.

183. Zakirov E. R. Formation and characterization Of Au-AI2O3-native oxide-HgCdTe structures / E. R. Zakirov, V. G. Kesler // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 27-31.

184. Ipatov D. E. Features of Hgx-1CdxTe anodic sulfidization / D. E. Ipatov, E. R. Zakirov, V. G. Kesler // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 32-36.

185. Thermoactivated particularities of PbSnTe:In films conductivity / A. N. Akimov, V. S. Epov, A. E. Klimov, V. F. Lunegov, V. N. Shumsky // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 49-52.

186. GaAs MBE on vicinal substrates Si (001): impact of nucleation and growth conditions on crystallographic properties of the epitaxial layers / M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 61-64.

187. Курусь Н.Н. Формирование киральных метаматериалов ТГЦ-диапазона в виде массивов тонкопленочных микроспиралей методом штамповой нанолитографии / Н.Н.Курусь ; науч. рук. С. В. Голод // Дни науки НГТУ–2015 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2014–2015 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – С. 42.

188. Гамбарян М.П. Светоизлучающие нанокристаллы GeSi(1-x) в многослойных наноструктурах GeO/SiO2 / М.П.Гамбарян ; науч. рук. В. А. Володин // Дни науки НГТУ–2015 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2014–2015 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – С. 19.

189. Милахин Д.С. Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира / Д.С.Милахин ; науч. рук. К. С. Журавлев // Дни науки НГТУ–2015 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2014–2015 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – С. 48.

190. Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism / N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny // Physics, chemistry and application of nanostructures : proc. of intern. con. nanomeeting – 2015 : rewiews and short notes, Belerus, Minsk, 26–29 May 2015. – World sci. publ., 2015. – P. 334-337.

191. Василенко М.А. Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) / М.А.Василенко, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 94.

192. Пономарёв К.Е. Удаленный мониторинг параметров оборудования и сбора данных с датчиков в подземных объектах / К.Е.Пономарёв ; науч. рук. В. А. Гридчин // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 1–5 дек. 2015 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Ч. 6. – С. 35–36.

193. Венский С.И. Совершенствования проводной передачи данных для горнодобывающих шахт / С.И.Венский ; науч. рук. В. А. Гридчин // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 1–5 дек. 2015 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Ч. 6. – С. 19–20.

194. Гумалевский В.В. Разработка датчика аэрозольных частиц / В.В.Гумалевский ; науч. рук. В. А. Гридчин // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 1–5 дек. 2015 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Ч. 6. – С. 7–8.

195. Grishanov N. V. Multielement IR FPA for new-generation IR LIDARs / N. V. Grishanov, I. I. Lee // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 279-281.

196.

Ли И. И. Цифровой кремниевый мультиплексор для многоэлементных ИК ФПУ коротковолнового диапазона / И. И. Ли, Н.В.Гришанов // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 184.

197. Драгунов В. П. Исследование МЭМС-генераторов энергии = Research of MEMS-generators of energy / В. П.Драгунов, Д.И.Лойко // 2015. – № 4 (82). – C. 108–121.

198. Милахин Д.С. Нитридизация нереконструированной и реконструированной (sqrt(31)sqrt поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака = Nitridation of an unreconstructed and reconstructed (√31 ×√31)R ± 9° (0001) sapphire surface in an ammonia flow / Д.С.Милахин // 2015. – Т. 49, № 7. – С. 925–932.

2014 год

199. Каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs (Монте-Карло моделирование) / М.В.Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 18 междунар. симп., Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2014. – Т. 2. секция 3. – С. 680–681.

200. Курусь Н.Н. Формирование киральных метаматериалов на основе тонкопленочных гибридных структур методом штамповой литографии / Н.Н.Курусь ; науч. рук. С. В. Голод // Современные проблемы технических наук : сб. тез. докл. Новосиб. межвуз. науч. студен. конф. «Интеллектуальный потенциал Сибири», Новосибирск, 22–23 мая 2014 г. – Новосибирск : НГАСУ (Сибстрин), 2014 – Ч. 3. – С. 35.

201. Ponomarev K. E. Surface morphology formation of Ge layers on Si(111) under high-temperature annealing / K. E. Ponomarev, A. A. Shklyaev // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 20140 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 10-13. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.

202. Suprunets A. G. Investigation of self-catalyzed GaAs NW growth by Monte Carlo simulation / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 14-18. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.

203. Electron mobility of thin layer SOI MOSFETs in accumulation-mode / E. G. Kulubaeva, O. V. Naumova, B. I. Fomin, V. P. Popov // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2014) : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 39-41.– 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.

204. Кnyazeva M. V. Examination of catalytic GaAs nanowire growth by Monte Carlo simulation / M. V. Кnyazeva, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 20140 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 54-56. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.

205. Итальянская М.С. Исследование параметров и характеристик N-канального МОП транзистора методом математического моделирования на САПР ТСАD / М.С.Итальянская, С. В.Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф. [Новосибирск, 24–25 апр. 2014 г.]. – Новосибирск : СибГУТИ, 2014. – С. 241–243.

206. Богомолов Б. К. Исследование проблем проектирования АЛУ при помощи САПР БИС «Ковчег 2.2» / Б. К.Богомолов, В.В.Гильгенберг // Актуальные проблемы электронного приборостроения = Actual problems of electronic instrument engineering : тр. 12 междунар. конф. АПЭП-2014, Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 128-131. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.

207. Петров Р.А. Разработка технологии формирования рисунка изображения в микросхемах с топологическими нормами менее 1 мкм / Р.А.Петров, О. А. Васильев // Актуальные проблемы электронного приборостроения = Actual problems of electronic instrument engineering : тр. 12 междунар. конф. АПЭП-2014, Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 110-113. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.

208. Гринберг Я. С. Микроволновая диагностика наномеханического резонатора / Я. С.Гринберг, А.Н.Султанов, Е. В.Ильичев // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 64-68. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.

209. Gridchin V. A. The influence of n-type silicon piezoresistors pre-strain state on their piezoresistance / V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev, E. G. Sayanova // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 55-58. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0. - DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040925.

210. Bogomolov B. K. ALU design problems research with VLSI CAD “Kovcheg 2.2” / B. K. Bogomolov, V. V. Gilgenberg // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 84-87. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0.

2013 год

211. Егоркин А.В. Двумерное моделирование в TCAD SENTAURUS эффекта заострения кремниевых игл / А.В.Егоркин, С. В.Калинин ; науч. рук. С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2013 г.]. – Новосибирск, 2013. – С. 270-271.

212. Храпов М.О. Исследование параметров и характеристик вертикального NPN транзистора методом математического моделирования на САПР TCAD. / М.О.Храпов, С. В.Калинин ; науч. рук. С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2013 г.]. – Новосибирск, 2013. – С. 286-286.

213. Алексеева А.А. Модель ленгмюровского испарения GaAs(111) / А.А.Алексеева ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Дни науки НГТУ–2013 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2012–2013 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2013. – С. 11.

214. Иванов А.И. Создание трубчатых микроэлектродов для биологических применений / А.И.Иванов ; науч. рук. А. В. Принц // Дни науки НГТУ–2013 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2012–2013 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2013. – С. 52.

215. Alekseeva A. A. Monte-Carlo Modeling of Langmuir Evaporation of GaAs (111) Substrates / A. A. Alekseeva, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 3-5.

216. Knyazeva M. V. Influence of temperature and catalyst drop diameter on GaAs nanowire growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 19-21.

217. Князева М.В. Процессы формирования GaAs наноструктур: Монте-Карло моделирование / М.В.Князева, И. Г.Неизвестный, Н. Л.Шварц // 11 Российской конференции по физике полупроводников : тез. докл., Санкт-Петербург, 16–20 сент. 2013 г. – Санкт-Петербург : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013. – С. 162.

218. Неизвестный И. Г. Оптимизация условий роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия (Монте-Карло моделирование) / И. Г.Неизвестный, М.В.Князева, Н. Л.Шварц // 3 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тезисы докладов, Иркутск, 23–27 июня 2013 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. – С. 45.

219. Рентгеноспектральное и рентгеноэлектронное исследование электронной структуры фталоцианинов переходных металлов / Г. И. Семушкина, Л. Н.Мазалов, Р. В. Гуляев, Т. В. Басова // Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь : 21 Всерос. конф. : прогр. и сб. тез. докл., Новосибирск, 7–11 окт. 2013 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. – С. 103.

220. GaAs MBE on vicinal substrates Si(001): impact of nucleation and growth conditions on surface morphology and crystallographic properties of the epitaxial layers / M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, D. F. Feklin, V. V. Preobrazhenskii // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 27-32.

221. Influence of deposition parameters on GaAs nanowire growth: Monte Carlo simulation / M. V. Knyazeva, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of the 21 intern. symp. (NANO 2013), Saint Petersburg, 24–28 June 2013. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2013. – P. 292-293.

222. Трехмерный топологический изолятор на основе напряженного HgTe / Д. А. Козлов, Б. З.Ольшанецкий, З. Д. Квон, D. Weiss, Н. Н. Михайлова, С. А. Дворецкий // 11 Российской конференции по физике полупроводников : тез. докл., Санкт-Петербург, 16–20 сент. 2013 г. – Санкт-Петербург : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013. – С. 106.

223.

Боев М.В. Оптические переходы экситонов в квантовых ямах со спин-орбитальным взаимодействием / М.В.Боев, В. М.Ковалёв // 2013. - Т. 97, вып. 3. - С.150-155

2012 год

224. Кацюба А.В. Изменение морфологии поверхности CaF2 под действием электронного пучка в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / А.В.Кацюба, А.Ю.Крупин, С.С.Кудаев // Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества : 3 Всерос. молод. конф. с элементами науч. шк., Москва. 28 мая – 1 июня 2012 г. : сб. мат. – Москва : ИМЕТ РАН, РХТУ им. Д. И. Менделеева, 2012 – С. 297-299.

225. Топякова М. В. Коррекция Субмикронных многоуровневых интегральных микросхем с помощью электронно-ионного микроскопа / М. В. Топякова, В. Ю.Васильев, А. А.Величко // Сб. тр. междунар. науч. конф. Электронная техника и технологии. - Харьков. - 2012, Т. 2. - С. 42.

226. ЭПР ионов гадолиния Gd3+ в кристаллах вольфрамата цинка (ZWO) / А.А.Рядун, В.А. Надолинный, Е.Г. Галашов, В.Н. Шлегель // Журнал структурной химии. - 2012.

227. Причины уширения линий в спектрах ЭПР ионов медив кристаллах литий-цинкового молибдата Li2-2xZn2+x(MoO4)3 / А.А.Рядун, В.А. Надолинный , А.А. Павлюк, С.Ф. Солодовников, Е.Г. Богуславский // 2013. – Т. 53, № 1. – С. 66–70.

228. Антонова О.В. Влияние электрического поля на фотостимулированные состояния в пленках тетрафенилборат аммония / О.В.Антонова, В.А. Надолинный // 2012. – № 10. – С. 1847–1851.

229. Рахманова М.И. Влияние облучения электронами и отжига на оптическую систему 418 нм в синтетических и природных алмазах / М.И.Рахманова, О.П. Юрьева , В.А. Надолинный // Физика Твердого Тела, 2012.

230. Rakhmanova М.I . Distribution of OK1, N3 and NU1 defects in diamonds of different habit / М.I . Rakhmanova // 2012. – Vol. 24. – iss. 4. – P. 645–650.

231. Калинин С. В. Моделирование эффекта заострения кремниевых игл в процессе их термического окисления / С. В.Калинин, А.В.Егоркин // 11 International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2011 = Материалы 11 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2012, Новосибирск, 2–4 окт., 2012 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2012. – Т. 2. – С. 28–30.

232. Вашутина Т.С. Исследование электроосмотического транспорта буферных растворов через кремниевые микроканальные матрицы / Т.С.Вашутина // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012"- Новосибирск:изд.-во НГТУ , 2012 - с. 27

233. Михантьев Е.А. Монте-Карло моделирование формирования кремниевых нанокластеров / Е.А.Михантьев // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012" - Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2012.- с.66

234. Сергеев М.А. Рост графена на никеле для формирования тонкопленочных изогнутых SiO2/Ni/графен холодных катодов микронного размера / М.А.Сергеев // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012" - Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2012.- с.91

235. Венский С.И. Политические проблемы общественной жизни / С.И.Венский // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012" - Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2012.- с.118

236. Гумалевский В.В. Прогресс как философская проблема / В.В.Гумалевский // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012" - Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2012.- с.119

237. Чупрунов М.К. Место религии в общественной жизни / М.К.Чупрунов // Материалы научной студенческой конференции "Дни науки НГТУ-2012" - Новосибирск: Изд.-во НГТУ, 2012.- с.143

238. Direct nitridation of silicon surface by high-density inductively coupled plasma / A.K. Antonenko, S.A. Arzhannikova, V.A. Volodin, M.D. Efremov, P. S. Zazulya, G.N. Kamaev // 13 International conference and seminar of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2012), Altai, Erlagol, 2–6 July 2012. – Novosibirsk, 2012. – P. 45-46.

239. Knyazeva M. V. Influence of Catalyst Drop Properties on GaAs Nanowhisker Growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // International conference and seminar on micro/nanotechnologies and electron devices. EDM-2012 : 13 annu. proc, Erlagol, Altai, Russia, 2-6 July, 2012. - Novosibirsk, 2012. - P. 20-22.

240. Mikhantiev Е. А. Silicon monoxide influence on silicon nanocrystal formation / Е. А. Mikhantiev, S. V. Usenkov, N.L. Shvarts // ХIII International conference and seminar on micro/nanotechnologies and electron devices EDM-2012, Erlagol, Altai - 2-6 July, 2012, p. 29-33.

241. Князева М.В. Монте-Карло модель роста GaAs нановискеров / М.В.Князева ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Современные проблемы технических наук : сб. тез. докл. Новосиб. межвуз. науч. студен. конф. МНСК – 2012 «Интеллектуальный потенциал Сибири», Новосибирск, 23–24 мая 2012 г. – Новосибирск : НГАСУ (Сибстрин), 2012. – Ч. 3. – С. 29.

242. Монте-Карло моделирование процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния / А.Н. Карпов , Е.А.Михантьев, С.В. Усенков, Н. Л.Шварц // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. - 2012, № 1. - С. 33-39.

243. Simulation of silicon nanocluster fornation in Si suboxide layers / Е.А.Михантьев, I. G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N. L. Shwartz // Proceedings of the 20th International. Symposium. “Nanostructures:Physics and Technology” Nizhny Novgorod, Russia, June 24–30, 2012, P.140-141.

244. Mikhantiev E. A. Silicon Monoxide Influence on Silicon Nanocrystal Formation / E. A. Mikhantiev, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz // International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2012 : 13 annu. proc., Erlagol, Altai, Russia, 2-6 July, 2012. - Novosibirsk, 2012. - P. 29-33.

245. Knyazeva M. V. Monte Carlo model of multicomponent nanowhisker growth / M. V. Knyazeva, I.G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Monte Carlo model of multicomponent nanowhisker growth. Book of Abstracts, 6th Nanowire Growth Workshop, St.Peterburg, Russia, June 4-6, 2012, P. 112.

246. Monte Carlo model of nanowire growth according to VLS mechanism / М. V. Knyazeva, A.G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N.L. Shwartz // Abstract Book, of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar “Films and Structures for Innovative Applications, Novosibirsk, Russia, 28 – 30 August, 2012, P. 75-75.

247. Examination of SIO role in si-nanocrystal formation during SiOx layers annealing (Monte Carlo Simulation) / Е. А. Mikhantiev, I. G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N. L. Shwartz // Abstract Book, of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar "Films and Structures for Innovative Applications", Novosibirsk, Russia, 28 – 30 August, 2012, P. 133-134.

248. Sergeev M. Arbeitsweise und Zusammenspiel der Komponenten in einem 3He/4He – Verdunnungskryostaten / M. Sergeev // Progress through Innovative Technologies–2012 : Young Researches’ Scientific Conference (Novosibirsk, April 5, 2012). – Novosibirsk : NSTU Publisher, 2012. – P. 107.

249. Гамбарян М.П. Модификации структуры и свойств слоёв GeO2 с квантовыми точками германия при отжигах / М.П.Гамбарян, Е.Б. Горохов // Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники. Тезисы докладов Всероссийской молодёжной конференции. / отв.ред. Е.Г.Екомасов. - Уфа: РИЦ БашГУ, 2012. -с. 51

250. Kulubaeva E. Der Wunderheilung Verband «Vita Vallis» / E. Kulubaeva // Progress through Innovative Technologies–2012 : Young Researches’ Scientific Conference (Novosibirsk, April 5, 2012). – Novosibirsk : NSTU Publisher, 2012. – P. 56-57.

2011 год

251. Electrical Microchannel Silicon Sensor for Solvent Detection / М. А. Parashchenko, N.V. Vandisheva, V.V. Kirienko, N.S. Filippov, S.I. Romanov // 12 International conference and seminar of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM), 2011 : proc., Altai, Erlagol, 2011. – Novosibirsk : NSTU, 2011. – P. 150–151.

252. Егоркин А.В. Анализ TCAD моделей термического окисления непланарной кремниевой поверхности / А.В.Егоркин, С. В.Калинин // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2011, c. 449-450.

253. Smirnov I. А. Analysis of Certain Methods for Determining Contact Resistivity / I. А. Smirnov, S.V. Kalinin // 12 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P. 162-164.

254. Polstyankin А. V. Reduction of Offset in Pressure Sensors with Polysilicon Piezoresistors by the Pulse Current Annealing Method / А. V. Polstyankin, V. А. Gridchin // 12 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P. 152-154.

255. Polyashchenkovа М. N. Technological Factors Having Effect on Calibration of Beam Heat Flux Sensor / М. N. Polyashchenkovа, М. А. Chebanov, О. V. Lobach // 12 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P.155-159.

256. Особенности кинетики окисления поверхности кремния в плазме кислорода с добавками инертных газов / А.Х. Антоненко , В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев , Д.В. Марин, П.С.Зазуля ; науч. рук. А. Х. Антоненко // Автометрия. – 2011. – 47, № 5. – С. 52–58.

257. Gamma Radiation Response for SOI MOSFETs Fabricated on DeleCut and Unibond Wafers / O.V. Naumova, M.A. Ilnitsky, V.P. Popov, Э.Г.Кулубаева ; науч. рук. О. В. Наумова // 12 International conference and seminar of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM), 2011 : proc., Altai, Erlagol, 2011. – Novosibirsk : NSTU, 2011. – P. 140–142.

258. Свойства пленок SiO2, получаемых при оксидировании поверхности кремния в гелиево-кислородной плазме / А.Х. Антоненко, М.Д. Ефремов, П.С.Зазуля, Г.Н. Камаев, В.А. Терехов ; науч. рук. Г. Н. Камаев // 2 Семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и сб. тез. докл. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2011. – С. 75.

259. Формирование и исследование двухбарьерных туннельных структур на кремнии / Г.Н. Камаев, А.Х. Антоненко , С.А. Аржанникова, М.Д. Ефремов, А.А.Гисматулин // Х Российская конференция по физике полупроводников: тез.докл.конференций. - Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011. - Нижний Новгород, 2011, С. 53.

260. Блум К.Е. Экспериментальное исследование емкостного МЭМП с изменением перекрытия электродов и последовательным включением компонентов / К.Е.Блум, Д. И.Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2011. – № 3 (65). – С. 89–94.

261. An influence of transition metal ions impurities on the luminiscence of Li2Zn2(MoO4)3 crystals / V. Nadolinny, A.A. Pavlyuk, А. А. Ryadun, S.F. Solodovnikov, S.F. Solodovnikova, E.S. Zolotova, V.F. Plusnin, M.I. Rakhmanova, E.G. Boguslavsky // Functional Materials. - 2011. - V.18, № 3.- P. 368-374.

262. Size-dependent effects in EPR and luminescence spectra of NH4BPh4 excited states:from bulk to nanoparticles / О. V. Antonova, V.A. Nadolinny, E.A. Il’inchik, M.K. Kovalev, A.P. Yelisseyev // Applied Magnetic Resonance. - 2011. - № 40. - С. 459-469.

2010 год

263. Блум К.Е. Особенности расчёта ёмкостей в микроэлектромеханических системах / К.Е.Блум, В. П.Драгунов, Д. И.Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2010. – №2 (60). – С. 105–110.

264. Modeling of Silicon Micromachined Heat Flux Sensor / V. А. Gridchin, О. V. Lobach, R.P. Dikareva, E.L. Bakaleynik // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 117-120.

265. Nastovjak A.G. Peculiarities of Vapor-Liguid-Solid Process Realization in Monte Carlo Model of Nanowhisker Growth / A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, Y.V. Titovskaya // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 64-67.

266. New Event-Scheduling Algorithm for Monte Carlo Simulation of Multi-Component Systems / A. N. Karpov, E. A. Mikhantiev, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 203-207.

267. Шкляев А.А. Excitation-dependent Blue Shift of Photoluminescence Peak in 1.5-1.6 mm Wavelength Region from Dislocation-rich Si Layers / А.А. Шкляев, А.В.Горбунов // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 59-63.

268. Котин И.А. Electrical Properties of Nanocomposite Graphene-Organic Monoolayers / И.А.Котин // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 74-76.

269. Лошкарев И.Д. Effects of Method for Formation of First Monolayers on Strain State of GaAs Films on Vicinal Si(001) Substrate / И.Д.Лошкарев // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р.84-86.

270. Маляренко Н.Ф. Charge State of SOI Nanowire Sensors / Н.Ф.Маляренко // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 90-93.

271. Свит К.А. Clustering of CdS Nanocrystals during Evaporation of Langmuir – Blodgett Matrix / К.А.Свит // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 94-95.

272. Гисматулин А.А. Nanoscale Si/SiO2 Double-barrier Structures Produced by Plasma-chemical Technology / А.А.Гисматулин // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 96-98.

273. Заиченко А.А. Fabrication of Quantum Dots of InAs Built in Matrix of GaAs by Molecular Beam Epitaxy / А.А.Заиченко // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 99-100.

274. Шевалье М.А. Effect of Heat Treatment on Performance Characteristics of Operational Amplifier / М.А.Шевалье // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 191-192.

275. Михантьев Е.А. New Event-Scheduling Algorithm for Monte Carlo Simulation of Multi-Component Systems / Е.А.Михантьев // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 203-207.

276. Мжельский И.В. Scanning Infrared Microscope / И.В.Мжельский // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 446-447.

277. Доржиев В.Ю. Анализ электромеханических / В.Ю.Доржиев // Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Нанофизика и наноэлектроника» «Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях» (20-26 июня 2010 г., Эрлагол, Республика Горный Алтай): сб. докладов / Кол-лектив авторов. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2010 . – с. 5-7.

278. Блум К.Е. Учет толщины электродов при расчете емкости в МЭМС и НЭМС / К.Е.Блум // Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Нанофизика и наноэлектроника» «Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях» (20-26 июня 2010 г., Эрлагол, Республика Горный Алтай): сб. докладов / Коллектив авторов. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2010 . – с. 12-15.

279. Вертелецкая Н.Ю. Creation and Physical-Chemical Study of the Carbon-Fluorocarbon Nanocomposites / Н.Ю.Вертелецкая // Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Нанофизика и наноэлектроника» «Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях» (20-26 июня 2010 г., Эрлагол, Республика Горный Алтай): сб. докладов / Коллектив авторов. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2010 . – с. 53-54.

280. Мазалов Л. Н. Application of linear semiconductor thin-film detector for X-ray spectra registration / Л. Н.Мазалов, С.А.Лаврухина // Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Нанофизика и наноэлектроника» «Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях» (20-26 июня 2010 г., Эрлагол, Республика Горный Алтай): сб. докладов / Кол-лектив авторов. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2010 . – с. 79.

281. Доржиев В. Ю. Расчёт ёмкости МЭМС в 2D-приближении / В. Ю.Доржиев, В. П.Драгунов, Д. И.Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2010. – №4 (62). – С. 73–80.

282. Доржиев В. Ю. Расчёт ёмкости при латеральном смещении электродов в 2D-приближении / В. Ю.Доржиев, В. П.Драгунов, Д. И.Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2010. – №4 (62). – С. 81–86.

2009 год

283. Разработка лабораторного практикума по компьютерному моделированию наносистем на основе TCAD Sentaurus / С. В.Калинин, А. С.Черкаев, В.Е.Зырянов, Е. А.Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2009, c. 409-410.

2008 год

284. Карнаушенко Д.Д. Multicontact Hybrid Interconnection / Д.Д.Карнаушенко // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.14

285. Карнаушенко Д.Д. Multicontact Hybrid Interconnection / Д.Д.Карнаушенко // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.14

286. Эпов В.С. Effect of magnetic field on the current-voltage characteristics of PbSnTe:In films / В.С.Эпов // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.84

287. Усенков С.В. Evaporation of thin oxide layer from Si-(111) surface (simulation) / С.В.Усенков // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.37

288. Мжельский И.В. Monte Carlo simulation of phase separation in SiOx layers / И.В.Мжельский // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.45

289. Шеремет Е.С. Effect of substrate-drop parameters on nanowhiskers morphology / Е.С.Шеремет // 9 Int. Workshop and Tutorials EDM"2008, July 1-5, Erlagol, p.41

290. Калинин С. В. Особенности TCAD SENTURUS / С. В.Калинин, А. С.Черкаев // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.412-414.

291. Черкаев А. С. Сравнительный анализ точности моделирования профилей легирования бора в различных TCAD-системах / А. С.Черкаев, Е. А.Макаров, С. В.Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.428

292. Макаров Е. А. Моделирование транзисторных структур на основе твердых растворов соединений А3В5 / Е. А.Макаров, В.Е.Зырянов // Информатика и проблемы телекоммуникаций: Материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 24-25 апреля 2008] . - т.1- с.410

293. Паращенко М.А. Датчик емкостного типа для измерения диэлектрической проницаемости жидкости на основе нанопористого диэлектрика / М.А.Паращенко // Электроника Сибири. - №3. - 83

294. Черкаев А. С. The mathematical modeling of the MOS-transistors fabrication technique in modern TCAD-systems / А. С.Черкаев, Е. А. Makarov, S. V. Kalinin // International Workshops and Tutorials on «Electron Devices and Materials, EDM 2008», pp. 79-83; Novosibirsk 2008

295. Черкаев А. С. Комбинированная методика двумерного моделирования технологии и электрофизических параметров МОП-транзисторов / А. С.Черкаев, С. В.Калинин, Е. А.Макаров // Сборник научных трудов «Вестник СибГУТИ», № 2, c. 14-17.

2007 год

296. Система неразрушающих методов контроля полупроводниковых структур / А. А.Величко, Е.И. Уваров, А.А. Корнилович, А.Н.Селезнев // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т. 8. Сб. тр. 3 междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2007. – С. 66–70.

2006 год

297. Настовьяк А.Г. Монте-Карло моделирование роста нитевидных нанокристаллов / А.Г.Настовьяк ; науч. рук. Н. Л. Шварц // VIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике

2005 год

298. Khaynovskaya N. V. Investigation Process of Preferential Chemical Etching of GaAs / N. V. Khaynovskaya, А. V. Kamenskaya // 6th International Siberian Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM"2005, 1- 5 July 2005, Erlagol, Russia, p. 49-50.

299. Хайновская Н.В. Моделирование анизотропного травления GaAs / Н.В.Хайновская, А. В.Каменская // Российская научно-техническая конференция. Новосибирск, 2005, Т.1, с. 176-178.

2002 год

300. Лунёв В.С. Пакет двумерного моделирования. / В.С.Лунёв, С.С.Мельничук, П. П.Люмаров, // Материалы VI международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». - АПЭП-2002.

Размещение информации на странице:
Данные из Информационной системы